下面简单介绍管式炉适用的工艺:
扩散工艺的主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂,即将元素磷、硼扩散入硅片,从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。)
常用的低压磷扩散利用低压氛围可以得到更好的方块电阻均匀性和更大的生产批量,同时对环境的影响最小
二、氧化工艺是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应,生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧和湿氧,湿氧包括水汽氧化和氢氧合成两种,对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。
三、退火工艺包含杂质退火(氧化层退火、注入后退火等等)和金属退火,杂质退火两个目的,修复晶格激活杂质元素,工艺温度比较高;金属退火比较复杂,主要目的是解决金属与物质的接触和填充问题,每种退火的原理与适用材料也有所区别。
四、合金工艺主要是形成欧姆接触或者形成键合区。
五、烧结工艺主要应用于电真空、航空航天、电力电子、机械加工;可对不锈钢、无氧铜、金属化陶瓷件等不同零件进行无氧化钎焊、退火、烧结及对薄膜、厚膜电路、混膜集成电路等在氢气、氮气或氢氮混合气体的保护下, 对工件进行焊接, 封装和烧结等。
扩散炉是光伏与半导体集成电路工艺的基础设备,它与光伏、半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。